外延片（EPI）

外延片(EPI)指的是在襯底上生長(zhǎng)出的半導(dǎo)體薄膜，薄膜主要由P型，量子阱，N型三個(gè)部分構(gòu)成。現(xiàn)在主流的外延材料是氮化鎵(GaN)，襯底材料主要有藍(lán)寶石。硅，碳化在三種，量子阱般為5個(gè)通常用的生產(chǎn)工藝為金屬有機(jī)物氣相外延(MOCVD)，這是LED產(chǎn)業(yè)的核心部分，需要較高的技術(shù)以及較大的資金投入。
目前在硅襯底上可以做普通外延層，多層結(jié)構(gòu)外延層，超高阻外延層，超厚外延層，外延層電阻率可達(dá)一千歐姆以上，導(dǎo)電類型為：P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+等多種類型。
硅外延晶片是用于制造廣泛的半導(dǎo)體器件的核心材料，在消費(fèi)、工業(yè)、軍事和空間電子學(xué)中都有應(yīng)用。