| Czochralski
| Float Zone | Float Zone |
| Diameter | 100-150 mm | 50-150 mm* | 100-150 mm*
|
| Crystal orientation | <100> <111> | <100> <111> | <100> <111> |
| Orientation accuracy | <0.5° | <0.5° | <0.5° |
| Type and dopant | Undoped, n-type, p-type | Undoped, n-type,p-type | Undoped, n-type,p-type |
| Dopant | As, B, P, and Sb | P, B | P, B |
| Bulk resistivity | 0.001-601-30,000 | 1-30,000 | 1-30,000 |
| Bulk lifetime | >20 μs | >1,000 μs | >1,000 μs |
| Wafer thickness | 200-1,500 μm | 200-1,500 μm | 200-1,500 μm |
| Wafer thickness tolerance | ±15 μm | ±15 μm | ±5 μm |
| TTV | <5 μm or <9 μm | <5 μm or <9 μm | <2.5 μm |
TIR
| <3 μm | <3 μm | <1 μm |
| Wafer surface finish | Single side polished, Double side polished
| Single side polished | Double side polished |
MEMS(微機電系統(tǒng))最初大量用于汽車安全氣囊，而后以MEMS傳感器的形式被大量應(yīng)用在汽車的各個領(lǐng)域，隨著MEMS技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，以及應(yīng)用終端“輕、薄、短、小”的特點，對小體積高性能的MEMS產(chǎn)品需求增勢迅猛，消費電子、醫(yī)療等領(lǐng)域也大量出現(xiàn)了MEMS產(chǎn)品的身影。
1）微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低微機電系統(tǒng)、慣性小、諧振頻率高、響應(yīng)時間短。
2）以硅為主要材料，機械電器性能優(yōu)良：硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當(dāng)，密度類似鋁，熱傳導(dǎo)率接近鉬和鎢。
3）批量生產(chǎn)：用硅微加工工藝在一片硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。批量生產(chǎn)可大大降低生產(chǎn)成本。
4）集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感器陣列、微執(zhí)行器陣列，甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩(wěn)定性很高的MEMS。
5）多學(xué)科交叉：MEMS涉及電子、機械、材料、制造、信息與自動控制、物理、化學(xué)和生物等多種學(xué)科，并集約了當(dāng)今科學(xué)技術(shù)發(fā)展的許多尖端成果。
